VT6M1T2CR
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

VT6M1T2CR

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

VT6M1T2CR-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6

المخزون:

64626 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525860
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

VT6M1T2CR المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7.1pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
120mW
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
حزمة جهاز المورد
VMT6
رقم المنتج الأساسي
VT6M1

مواصفات تقنية ومستندات

وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

US6K1TR

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

rohm-semi

US6K4TR

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

rohm-semi

QH8MA4TCR

MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8

rohm-semi

UM6K31NFHATCN

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6