الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
VT6T1T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
VT6T1T2R-DG
وصف:
PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 20V 200mA 350MHz 150mW Surface Mount VMT6
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13524963
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
VT6T1T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
200mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
20V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
التردد - الانتقال
350MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
حزمة جهاز المورد
VMT6
رقم المنتج الأساسي
VT6T1
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
VT6T1T2R
موارد التصميم
VMT6 Inner Structure
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
VT6T1T2RCT
VT6T1T2RDKR
VT6T1T2RTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
EMT51T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
74
DiGi رقم الجزء
EMT51T2R-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2SAR523MT2L
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
25466
DiGi رقم الجزء
2SAR523MT2L-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IMX1T110
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
US6X7TR
NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR
QSZ1TR
TRANS NPN/PNP 15V 2A 5TSMT
US6T9TR
TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT