رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
S2M0080120D
Product Overview
المُصنّع:
SMC Diode Solutions
رقم الجزء DiGi Electronics:
S2M0080120D-DG
وصف:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247AD
المخزون:
230 قطع جديدة أصلية في المخزون
12990362
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
S2M0080120D المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
SMC Diode Solutions
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
41A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 10mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
54 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+25V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
231W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
-1765-S2M0080120D
1655-S2M0080120D
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK3A90E,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
ICE15N60W
Superjunction MOSFET
ICE20N60B
Superjunction MOSFET
