الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N7000
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N7000-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 350mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12881031
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N7000 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
STripFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
350mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±18V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
43 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
رقم المنتج الأساسي
2N70
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
497-3110-NDR
497-3110
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N7000BU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
38857
DiGi رقم الجزء
2N7000BU-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BS270
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6824
DiGi رقم الجزء
BS270-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BS170
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
9395
DiGi رقم الجزء
BS170-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
VN10LP
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
5433
DiGi رقم الجزء
VN10LP-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZVN3306ASTZ
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
ZVN3306ASTZ-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STL16N60M6
MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
STL8N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
STD6NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
STF28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP