رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUL416
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUL416-DG
وصف:
TRANS NPN 800V 6A TO220
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 6 A 110 W Through Hole TO-220
المخزون:
12879437
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUL416 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
6 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
800 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
3V @ 1.33A, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
250µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
12 @ 700mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
110 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220
رقم المنتج الأساسي
BUL416
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
Q1659498
497-6681-5
BUL416-DG
BUL416-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
