رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SCTL35N65G2V
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
SCTL35N65G2V-DG
وصف:
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
المخزون:
12948527
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SCTL35N65G2V المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
67mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+22V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1370 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
417W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (8x8) HV
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
SCTL35
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
497-SCTL35N65G2VTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RX3G07CGNC16
MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
STL66N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
