رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SCTWA30N120
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
SCTWA30N120-DG
وصف:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 45A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
المخزون:
294 قطع جديدة أصلية في المخزون
12876463
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SCTWA30N120 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
45A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1mA (Typ)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+25V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
270W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
HiP247™ Long Leads
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SCTWA30
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
-1138-SCTWA30N120
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
STL33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
STP2NK60Z
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
