رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SCTWA50N120
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
SCTWA50N120-DG
وصف:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
المخزون:
12877054
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SCTWA50N120 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
65A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+25V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1900 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
318W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
HiP247™
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SCTWA50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
600
اسماء اخرى
SCTWA50N120-DG
497-SCTWA50N120
-1138-SCTWA50N120
497-18637
497-18637-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
C3M0065090D
المُصنِّع
Wolfspeed, Inc.
الكمية المتاحة
1319
DiGi رقم الجزء
C3M0065090D-DG
سعر الوحدة
12.82
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MSC040SMA120B
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
61
DiGi رقم الجزء
MSC040SMA120B-DG
سعر الوحدة
16.98
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP16NF06
MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB
STB22NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
STB5N52K3
MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
