رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STB12NM50FDT4
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STB12NM50FDT4-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12948743
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STB12NM50FDT4 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
FDmesh™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STB12N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
497-5380-6
STB12NM50FDT4-DG
497-5380-2
497-5380-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFS11N50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
417
DiGi رقم الجزء
IRFS11N50APBF-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB12NM50T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB12NM50T4-DG
سعر الوحدة
1.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFA16N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFA16N50P-DG
سعر الوحدة
3.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFI9530GPBF
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
C3M0032120J1
1200V 32MOHM SIC MOSFET
E3M0120090J
900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET
