STB26NM60ND
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STB26NM60ND

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STB26NM60ND-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12879964
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STB26NM60ND المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
FDmesh™ II
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
175mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
54.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1817 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
190W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STB26N

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
-497-14264-1
-497-14264-2
497-14264-6
-497-14264-6
497-14264-1
497-14264-2
STB26NM60ND-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
FCB20N60FTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2398
DiGi رقم الجزء
FCB20N60FTM-DG
سعر الوحدة
2.61
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6024ENJTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
831
DiGi رقم الجزء
R6024ENJTL-DG
سعر الوحدة
1.59
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6020ENJTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
9101
DiGi رقم الجزء
R6020ENJTL-DG
سعر الوحدة
1.15
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB60R180P7ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2501
DiGi رقم الجزء
IPB60R180P7ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.88
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6020KNJTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1540
DiGi رقم الجزء
R6020KNJTL-DG
سعر الوحدة
1.47
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STP7N105K5

MOSFET N-CH 1050V 4A TO220

stmicroelectronics

STD6N95K5

MOSFET N-CH 950V 9A DPAK

stmicroelectronics

STFI5N80K5

MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP

stmicroelectronics

STB26NM60N

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK