رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STD13NM60ND
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STD13NM60ND-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
1927 قطع جديدة أصلية في المخزون
12878284
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
YTiC
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STD13NM60ND المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
FDmesh™ II
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
845 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
109W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
STD13
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
497-13863-1
497-13863-2
497-13863-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOD11S60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
5786
DiGi رقم الجزء
AOD11S60-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD65R380E6ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4998
DiGi رقم الجزء
IPD65R380E6ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD6NM60N
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
STB185N55F3
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
STK822
MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
