رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STD18N65M5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STD18N65M5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12872659
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STD18N65M5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ V
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1240 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
STD18
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
497-13088-6
497-13088-2
497-13088-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD65R225C7ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3863
DiGi رقم الجزء
IPD65R225C7ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD60R280P7SAUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2511
DiGi رقم الجزء
IPD60R280P7SAUMA1-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
STF33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
STF7N52DK3
MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
