رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STD2NK60Z-1
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STD2NK60Z-1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
3521 قطع جديدة أصلية في المخزون
12879068
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STD2NK60Z-1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
170 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
STD2N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
STD2NK60Z-1-DG
-497-12555-5
497-12555-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFU1N60APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1927
DiGi رقم الجزء
IRFU1N60APBF-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP10NM50N
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
STB95N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
STP270N04
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB