رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STD5NK50Z-1
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STD5NK50Z-1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12877125
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STD5NK50Z-1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
535 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
STD5N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFU430APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
391
DiGi رقم الجزء
IRFU430APBF-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFU320PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2351
DiGi رقم الجزء
IRFU320PBF-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB60NF10-1
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
STF6N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
STH290N4F6-6AG
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
