رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STD6N60DM2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STD6N60DM2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
12877330
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STD6N60DM2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ DM2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.75V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
274 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
STD6N60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK5P60W,RVQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
9180
DiGi رقم الجزء
TK5P60W,RVQ-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCD5N60TM-WS
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1550
DiGi رقم الجزء
FCD5N60TM-WS-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCD4N60TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
10613
DiGi رقم الجزء
FCD4N60TM-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP16NF06FP
MOSFET N-CH 60V 11A TO220FP
STP20NM65N
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
STD7NM80-1
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
