رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STD90N02L-1
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STD90N02L-1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12878685
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STD90N02L-1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
STripFET™ III
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2050 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
STD90
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
STW65N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
STF6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
