رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STF3HNK90Z
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STF3HNK90Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
12874478
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STF3HNK90Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
690 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF3HN
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-4341-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SK3564(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
176
DiGi رقم الجزء
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFIBF30GPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
888
DiGi رقم الجزء
IRFIBF30GPBF-DG
سعر الوحدة
1.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP4NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1826
DiGi رقم الجزء
STP4NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STU13N65M2
MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
STF30N10F7
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
STD7NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
