رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STF5N52U
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STF5N52U-DG
وصف:
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 525 V 4.4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
12879084
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STF5N52U المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
UltraFASTmesh™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
525 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
529 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF5N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-12582-5
-497-12582-5
STF5N52U-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK5A55D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
47
DiGi رقم الجزء
TK5A55D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD4NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
STI6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
SI9410DY,518
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
