STF7N65M6
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STF7N65M6

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STF7N65M6-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP

المخزون:

12874678
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STF7N65M6 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ M6
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
990mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.75V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
220 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF7

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
R6004ENX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
106
DiGi رقم الجزء
R6004ENX-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6004KNX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
331
DiGi رقم الجزء
R6004KNX-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STH400N4F6-6

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

stmicroelectronics

STD12NF06T4

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

stmicroelectronics

STP8NM50N

MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB

stmicroelectronics

STW8NK80Z

MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3