رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STF8NK85Z
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STF8NK85Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 850 V 6.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
12874758
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STF8NK85Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
850 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 3.35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1870 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF8N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQPF8N90C
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
2796
DiGi رقم الجزء
FQPF8N90C-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQPF9N90CT
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQPF9N90CT-DG
سعر الوحدة
1.80
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK9A90E,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
95
DiGi رقم الجزء
TK9A90E,S4X-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STFW4N150
MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
STB35NF10T4
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
STB70N10F4
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
