رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STFI13N60M2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STFI13N60M2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
المخزون:
454 قطع جديدة أصلية في المخزون
12879766
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STFI13N60M2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ II Plus
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
580 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-281 (I2PAKFP)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
رقم المنتج الأساسي
STFI13N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-13950-5
STFI13N60M2-DG
-497-13950-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF13N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1413
DiGi رقم الجزء
STF13N60M2-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STW55NM60ND
MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
STD150N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STF24N60DM2
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ.,
