رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STFI13N80K5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STFI13N80K5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
المخزون:
12880644
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STFI13N80K5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™ K5
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
450mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
870 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-281 (I2PAKFP)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
رقم المنتج الأساسي
STFI13N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
STFI13N80K5-DG
497-15374-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF13N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1058
DiGi رقم الجزء
STF13N80K5-DG
سعر الوحدة
1.65
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STE139N65M5
MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP
STF40NF06
MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP
STW47NM60ND
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
