رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STFI24N60M2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STFI24N60M2-DG
وصف:
MOSFET N CH 600V 18A TO281
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
المخزون:
481 قطع جديدة أصلية في المخزون
12877659
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STFI24N60M2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ II Plus
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1060 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-281 (I2PAKFP)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
رقم المنتج الأساسي
STFI24N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-13598-5
-497-13598-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPI60R190C6XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
495
DiGi رقم الجزء
IPI60R190C6XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.43
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF24N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1112
DiGi رقم الجزء
STF24N60M2-DG
سعر الوحدة
1.25
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STF16N50U
MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP
STW26NM60
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
STD150NH02L-1
MOSFET N-CH 24V 150A IPAK
