رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STFW60N65M5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STFW60N65M5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 46A ISOWATT
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-3PF
المخزون:
282 قطع جديدة أصلية في المخزون
12872342
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STFW60N65M5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ V
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
59mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6810 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STFW
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
-497-11325-5
497-11325-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STFW69N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
195
DiGi رقم الجزء
STFW69N65M5-DG
سعر الوحدة
8.06
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB80NF55-06-1
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
PMV117EN,215
MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB
STL12N60M2
MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
