رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STH110N7F6-2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STH110N7F6-2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
وصف تفصيلي:
N-Channel 68 V 80A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
المخزون:
12948099
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STH110N7F6-2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
STripFET™ F6
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
68 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.3mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5850 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
176W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
H2PAK-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STH110
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFIB8N50KPBF
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
NTP011N15MC
MOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220
FDBL9406-F085T6
MOSFET N-CH 40V 45A/240A 8HPSOF
