رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STH140N6F7-2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STH140N6F7-2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
المخزون:
12875278
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STH140N6F7-2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
DeepGATE™, STripFET™ VII
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
158W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
H2PAK-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STH140
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
STH140N6F7-2-DG
497-16314-6
497-16314-1
497-16314-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA260N055T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA260N055T2-DG
سعر الوحدة
3.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMTH6004SCTB-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
790
DiGi رقم الجزء
DMTH6004SCTB-13-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDB029N06
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
5208
DiGi رقم الجزء
FDB029N06-DG
سعر الوحدة
3.77
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STN3N40K3
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
STB4NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
STU3LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
