الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STH185N10F3-2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STH185N10F3-2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12876269
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STH185N10F3-2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
STripFET™ F3
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
180A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6665 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
315W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
H2PAK-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STH185
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
STH185N10F3-2
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
-497-15311-1
497-15311-6
-497-15311-2
497-15311-2
497-15311-1
-497-15311-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STH180N10F3-2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STH180N10F3-2-DG
سعر الوحدة
2.44
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IRF100S201
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2305
DiGi رقم الجزء
IRF100S201-DG
سعر الوحدة
1.63
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN5R0-80BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4275
DiGi رقم الجزء
PSMN5R0-80BS,118-DG
سعر الوحدة
1.13
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STN3NF06
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
STD11NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
STW70N60DM6
MOSFET N-CH 600V 62A TO247
STW36N60M6
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247