رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STH275N8F7-6AG
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STH275N8F7-6AG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
المخزون:
1976 قطع جديدة أصلية في المخزون
12880961
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STH275N8F7-6AG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
STripFET™ F7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
180A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
193 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13600 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
315W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
H2PAK-6
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
STH275
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
497-15474-6
497-15474-2
497-15474-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP8N120K5
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
STD11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
STF7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
