رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STL11N65M2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STL11N65M2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount
المخزون:
12874925
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STL11N65M2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
410 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TA)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
-
العبوة / العلبة
-
رقم المنتج الأساسي
STL11
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
497-15053-2
497-15053-1
-497-15053-1
-497-15053-2
-497-15053-6
497-15053-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STL11N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STL11N65M5-DG
سعر الوحدة
0.89
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STU10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
STP80N6F6
MOSFET N-CH 60V 110A TO220
STW9NK95Z
MOSFET N-CH 950V 7A TO247
