STL22N60M6
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STL22N60M6

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STL22N60M6-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV

المخزون:

12875244
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STL22N60M6 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ M6
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.75V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (5x6) HV
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
STL22

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STD7N80K5

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

stmicroelectronics

STB28NM50N

MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK

stmicroelectronics

STI23NM60N

MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

stmicroelectronics

STP80NF03L

MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB