رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STL24N60DM2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STL24N60DM2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
المخزون:
2899 قطع جديدة أصلية في المخزون
12874954
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STL24N60DM2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ DM2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
220mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1055 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (8x8) HV
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
STL24
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
497-16940-1
497-16940-2
497-16940-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP120N10F4
MOSFET N-CH 100V TO-220
STP30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
STD3N95K5AG
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
