STL24N60M2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STL24N60M2

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STL24N60M2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

المخزون:

24668 قطع جديدة أصلية في المخزون
12878189
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STL24N60M2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ II Plus
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
210mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1060 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (8x8) HV
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
STL24

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
497-14214-2
STL24N60M2-DG
497-14214-1
497-14214-6

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STB7ANM60N

MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK

stmicroelectronics

STW15NM60N

MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3

stmicroelectronics

STP15NK50ZFP

MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP

stmicroelectronics

STK850

MOSFET N-CH 30V 30A POLARPAK