STL28N60DM2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STL28N60DM2

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STL28N60DM2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

المخزون:

12879430
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STL28N60DM2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
175mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (8x8) HV
رقم المنتج الأساسي
STL28

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STH210N75F6-2

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

stmicroelectronics

STP18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB

stmicroelectronics

STP40N60M2

MOSFET N-CH 600V 34A TO220

stmicroelectronics

STFU18N65M2

MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP