STL33N60DM6
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STL33N60DM6

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STL33N60DM6-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

المخزون:

12872052
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STL33N60DM6 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ M6
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.75V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (8x8) HV
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
STL33

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
موجز المنتج

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
497-STL33N60DM6DKR
497-STL33N60DM6TR
497-STL33N60DM6CT
STL33N60DM6-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STI23NM60ND

MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK

stmicroelectronics

STB25NM60N

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

stmicroelectronics

STB100NF03L-03-1

MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK

stmicroelectronics

STU10NM65N

MOSFET N-CH 650V 9A IPAK