رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STL38N65M5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STL38N65M5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 3.5A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
المخزون:
5997 قطع جديدة أصلية في المخزون
12874301
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STL38N65M5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ V
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A (Ta), 22.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (8x8) HV
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
STL38
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
497-13878-6
497-13878-1
497-13878-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB200NF03T4
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
STP11N60DM2
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
STB12NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
