الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STL58N3LLH5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STL58N3LLH5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 64A (Tc) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
المخزون:
2990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12878226
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STL58N3LLH5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
STripFET™ H5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
64A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
+22V, -20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
950 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
STL58
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
STL58N3LLH5
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
-497-16041-2
-497-16041-1
497-16041-2-DG
497-16041-1-DG
497-16041-2
497-16041-1
497-STL58N3LLH5CT
-497-16041-6
497-16041-6
497-STL58N3LLH5TR
497-16041-6-DG
497-STL58N3LLH5DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RQ3E120BNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2880
DiGi رقم الجزء
RQ3E120BNTB-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STF18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP
STWA75N60DM6
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
STFU14N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STB10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK