رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STN2NE10
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STN2NE10-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
المخزون:
12873852
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STN2NE10 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
STripFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
305 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
STN2N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFL4310TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
23839
DiGi رقم الجزء
IRFL4310TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQT7N10LTF
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
55
DiGi رقم الجزء
FQT7N10LTF-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLL110TRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
15402
DiGi رقم الجزء
IRLL110TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STSJ60NH3LL
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
STP120NF10
MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
STB60NE06L-16T4
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
