رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP10LN80K5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP10LN80K5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12875089
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP10LN80K5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
630mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
427 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP10
مواصفات تقنية ومستندات
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-16500-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQPF10N60C
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
5
DiGi رقم الجزء
FQPF10N60C-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCP850N80Z
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
766
DiGi رقم الجزء
FCP850N80Z-DG
سعر الوحدة
1.13
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT10N60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
769
DiGi رقم الجزء
AOT10N60-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD50NH02L-1
MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
STU13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
STB42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
