STP130N6F7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STP130N6F7

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STP130N6F7-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220

المخزون:

2694 قطع جديدة أصلية في المخزون
12877353
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STP130N6F7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
STripFET™ F7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP130

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
-497-15889-5
497-15889-5

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STD15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

stmicroelectronics

STD30NE06L

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

stmicroelectronics

STP26N60DM6

MOSFET N-CH 600V 18A TO220

stmicroelectronics

STP11NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB