STP160N4LF6
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STP160N4LF6

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STP160N4LF6-DG

وصف:

MOSFET N-CH 40V 120A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12879803
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STP160N4LF6 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
DeepGATE™, STripFET™ VI
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
181 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8130 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP160

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
STP160N4LF6

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-15556-5

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXTP220N04T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
IXTP220N04T2-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPP100N04S303AKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPP100N04S303AKSA1-DG
سعر الوحدة
2.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDP8441
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
14458
DiGi رقم الجزء
FDP8441-DG
سعر الوحدة
1.51
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SUP40010EL-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
112
DiGi رقم الجزء
SUP40010EL-GE3-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
N0412N-S19-AY
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
2874
DiGi رقم الجزء
N0412N-S19-AY-DG
سعر الوحدة
0.82
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STD20NF10T4

MOSFET N CH 100V 25A DPAK

stmicroelectronics

STB18N55M5

MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK

stmicroelectronics

STB80NF03L-04T4

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

nxp-semiconductors

PMPB16XN,115

MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN