رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP18N60M6
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP18N60M6-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12875916
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP18N60M6 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ M6
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.75V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
650 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP18
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCP220N80
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
180
DiGi رقم الجزء
FCP220N80-DG
سعر الوحدة
4.93
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
STU6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
