STP18N65M5
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STP18N65M5

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STP18N65M5-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 15A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

المخزون:

896 قطع جديدة أصلية في المخزون
12874232
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STP18N65M5 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ V
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1240 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP18

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
-1138-STP18N65M5
497-STP18N65M5
-497-13109-5
497-13109-5
497-13109-5-DG
-760-STP18N65M5
-497-13109-5-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STS6P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 6A 8SO

stmicroelectronics

STD70N10F4

MOSFET N-CH 100V 60A DPAK

stmicroelectronics

STP26NM60N

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

stmicroelectronics

STD5NK40ZT4

MOSFET N-CH 400V 3A DPAK