رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP23NM50N
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP23NM50N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12878733
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP23NM50N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ II
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1330 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP23
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-10883-5
-497-10883-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPP50R199CPXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
476
DiGi رقم الجزء
IPP50R199CPXKSA1-DG
سعر الوحدة
1.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFB20N50KPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
912
DiGi رقم الجزء
IRFB20N50KPBF-DG
سعر الوحدة
2.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPP50R190CEXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPP50R190CEXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.80
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP7NK80Z
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
STU6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
STP95N2LH5
MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
