رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP45N60DM2AG
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP45N60DM2AG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12871790
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP45N60DM2AG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ DM2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
34A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
93mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP45
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-16128-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP43N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
775
DiGi رقم الجزء
STP43N60DM2-DG
سعر الوحدة
2.85
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STW43N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
600
DiGi رقم الجزء
STW43N60DM2-DG
سعر الوحدة
3.34
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IXTP34N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
152
DiGi رقم الجزء
IXTP34N65X2-DG
سعر الوحدة
3.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB16N90K5
MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
STD5NM50T4
MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
STP11NM60FDFP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
