رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP4LN80K5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP4LN80K5-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12872942
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP4LN80K5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ K5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.6Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
122 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP4LN80
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-17294
STP4LN80K5-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOT4N60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
423
DiGi رقم الجزء
AOT4N60-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB150N3LH6
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
IRF730
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
STB46NF30
MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
