الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP6N80K5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP6N80K5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12880860
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP6N80K5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperMESH5™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
255 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP6N80
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
ST(B,D,I,P)6N80K5
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-15018-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOT8N80L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
988
DiGi رقم الجزء
AOT8N80L-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFP7N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
299
DiGi رقم الجزء
IXFP7N80P-DG
سعر الوحدة
2.31
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD3NM60T4
MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
STP4NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
STI13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
STI150N10F7
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK