رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP7NB60
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP7NB60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12882017
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP7NB60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
PowerMESH™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1625 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-2761-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB9N65APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
912
DiGi رقم الجزء
IRFB9N65APBF-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN67D8LW-7
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
DMN601TK-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
IAUZ40N10S5N130ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
