رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP9N60M2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP9N60M2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
20 قطع جديدة أصلية في المخزون
12880106
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP9N60M2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ II Plus
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
780mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
320 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP9N60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
-497-13843-5
497-13843-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB9N60APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2220
DiGi رقم الجزء
IRFB9N60APBF-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFP10N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
70
DiGi رقم الجزء
IXFP10N60P-DG
سعر الوحدة
1.73
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT10N60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
769
DiGi رقم الجزء
AOT10N60-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STY60NK30Z
MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
STU85N3LH5
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
STS6PF30L
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
