رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STS20N3LLH6
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STS20N3LLH6-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12878835
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STS20N3LLH6 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
DeepGATE™, STripFET™ VI
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1690 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
STS20
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
497-10580-1
-497-10580-1
497-10580-6
-497-10580-2
497-10580-2
-497-10580-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7832TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
13071
DiGi رقم الجزء
IRF7832TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDS8870
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2621
DiGi رقم الجزء
FDS8870-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
STB22N60DM6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
