STU6N65M2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STU6N65M2

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STU6N65M2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

المخزون:

543 قطع جديدة أصلية في المخزون
12879599
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STU6N65M2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
226 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251 (IPAK)
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
STU6N65

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
-497-15044-5
497-15044-5

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STB160NF3LLT4

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

stmicroelectronics

STB40N20

MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK

stmicroelectronics

STB21NM60ND

MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

stmicroelectronics

STFI13NK60Z

MOSFET N-CH 600V 13A I2PAKFP